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常规 IGBT 芯片经超声键合、焊接工艺固定于导电基板，导电基板再焊至铜质散热基板，最终依靠导热硅脂与散热器贴合散热。将金刚石薄膜集成至 IGBT 模块，可大幅提升整体导热效率，快速导出芯片运行产生的热量，有效降低模块整体温度与芯片结温，减少故障概率、延长使用寿命。

在大功率 SiC 混合模块封装中搭配高导热金刚石材料，同时借助石墨烯薄膜优异的横向导热性能，将 IGBT、JBS 芯片局部热点热量快速均匀扩散，强化平面均热效果。双重散热优化可压低芯片峰值温度，全面提升 SiC 混合功率模块的可靠性与寿命。