氮化铝
氮化铝(AIN)具有很多优异的物理化学性质，如高击穿电场、高热导率、高电阻率、高化学和热稳定性以及良好的光学及力学性能。在紫外LED、紫外探测芯片、紫外激光、5G射频前端滤波器及国防军工、航空航天等领域具有广泛的应用前景。
提交需求，联系我们
深紫、紫外发光材料
直接带隙6.2eV，可用于深紫、紫外发光元器件制备
压电性能优异
c轴压电性能出众，适配传感器、驱动器、滤波器制造
物理性质出众
导热绝缘耐压强，适配高温高功率高频电子器件
晶格常数和热膨胀匹配
与GaN晶格、热胀系数相近，适配GaN光电器件外延
氮化铝是超宽禁带半导体，兼具高导热、压电、绝缘特性，适配深紫外器件与高频功率芯片。化合积电推出三类衬底产品：硅基 AlN 成本低、适配大尺寸晶圆工艺；蓝宝石基 AlN 结晶质量优，提升 UVC LED 良率；金刚石基 AlN 依托金刚石超高导热，可大幅降低高功率 GaN 器件热阻。
氮化铝具有多重优势：
• 禁带宽度6.2eV直接带隙，是重要的深紫和紫外发光材料。
• AIN具有非常好的压电性能（特别沿c轴方向）,是目前制备各种传感器、驱动器以及滤波器的最佳材料之一。
• 高热导率、高击穿电场、高绝缘性、低介电常数、低热膨胀系数、机械性能好、耐腐蚀，是高温、高功率器件、高频的优选材料。
• AIN晶体与GaN晶体有非常接近的晶格常数和热膨胀系数，是异质外延生长GaN基光电器件的优选衬底材料。
产品参数：
▏硅基氮化铝
基底材料：480±10μm Si (111)
直径：2inch、4inch…… 可定制
AIN 外延厚度：50nm-1μm
晶面取向：c-aixs [0001]
表面粗糙度(5x5μm)：Rq<1.5nm (200nm)
XRC (°)@(0002)：<1.5°(200nm)
总厚度变化 ：<7μm
翘曲度：<30μm
弯曲度 ：-10~15μm
▏蓝宝石基氮化铝
基底材料：430-440μm Sap(002)
直径：2inch、4inch……可定制
AIN外延厚度：50nm-1μm
晶面取向：c-aixs [0001]
表面粗糙度(nm)(5x5μm)：Rq<1.20nm (200nm)
XRC(°)@(0002)：<0.05°(200nm)
总厚度变化：<7μm
翘曲度：<30μm
弯曲度：-10~15μm
▏金刚石基氮化铝
基底材料：200μm~500μm；单晶金刚石
直径(inch)：10*10mm,可定制
AIN外延厚度(Thickness)：50nm-1μm
晶面取向(Orientation)：c-aixs [0001]
表面粗糙度(nm)(5x5μm)：Ra < 2nm (200nm)
XRC(°)@(0002)：<2°(200nm)
总厚度变化：<30μm（2 inch）
翘曲度：<300μm（2 inch）,
可定制 弯曲度：<15fringe (Ø20mm)
应用领域
更多应用
