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硅基金刚石

针对大尺寸金刚石薄膜材料生长及加工的挑战,化合积电通过自主研发专用设备及优化生产工艺,成功制备出超大尺寸硅基多晶金刚石薄膜;采用独特的界面设计及种晶材料,制备出膜厚均匀性可控、界面热阻可调节的核心材料。

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超大尺寸

可定制2/4/6/8inch

金刚石厚度可调

可定制100nm~500μm

降低键合难度

将金刚石-硅转化为硅-硅键合

热膨胀系数适配芯片

适配2.5D/3.5D封装架构

大尺寸的硅基金刚石晶圆与当前主流硅基半导体GPU、CPU芯片的硅基外延片可实现多种形式的键合。针对2.5D/3D封装架构,金刚石/硅尺寸及厚度可调,物理性质及热膨胀系数兼容,有效缓解堆叠芯片间的热耦合效应,为先进封装提供高效且可靠的规模化应用解决方案。

化合积电联合国内外芯片设计公司及著名企业共同参与设计,完成样品从实验室到产品小批量应用的验证。在此基础上,化合积电率先在中国及美国等关键市场完成发明专利前瞻性布局及申请,现已形成从材料制备到器件集成的全链条产业化能力。

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产品参数:

衬底材料:Si

尺寸:2 inch/4 inch/6 inch/8 inch

衬底材料厚度:3mm,可定制

金刚石厚度:100 nm - 500 µm

应用领域

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