产品中心

所在位置:

首页 产品中心硼掺杂单晶金刚石硼掺杂单晶金刚石

硼掺杂单晶金刚石

硼掺杂金刚石是一种新型的p型半导体材料,具有稳定性强、击穿场强高、空穴迁移率大的优势。其特别适于作为功率半导体器件的材料,亦可应用于电化学领域,具有广阔的应用前景。

化合积电所生产的硼掺杂单晶金刚石可实现低浓度到高浓度的掺杂,低浓度的掺硼金刚石具有良好的迁移率,适合作为半导体器件的主要材料;高浓度的掺硼金刚石则具有电阻率低的特点,适合作为欧姆接触的电极。


立即联系我们!
提交您的需求!
立即填写

提交需求,联系我们

*姓名:
*公司:
*职务:
*邮箱:
*电话:
*需求说明:
本人同意并愿意在未来收到 “化合积电(厦门)半导体科技有限公司” 和许可分销商和合作伙伴关于此需求的通信。

新型P型半导体材料

稳定性强

击穿场强高

空穴迁移率大

硼掺杂单晶金刚石

B-doped single crystal diamond

硼掺杂金刚石是一种新型的p型半导体材料,具有稳定性强、击穿场强高、空穴迁移率大的优势。其特别适于作为功率半导体器件的材料,亦可应用于电化学领域,具有广阔的应用前景。

化合积电所生产的硼掺杂单晶金刚石可实现低浓度到高浓度的掺杂,低浓度的掺硼金刚石具有良好的迁移率,适合作为半导体器件的主要材料;高浓度的掺硼金刚石则具有电阻率低的特点,适合作为欧姆接触的电极。
1727424416488207.jpg


1727427510803233.png


1727424417373088.png


1727425073656288.jpg

*以上均为标准参数,特殊参数可定制

应用领域

更多应用