硼掺杂单晶金刚石
硼掺杂金刚石是一种新型的p型半导体材料，具有稳定性强、击穿场强高、空穴迁移率大的优势。其特别适于作为功率半导体器件的材料，亦可应用于电化学领域，具有广阔的应用前景。低浓度的掺硼金刚石具有良好的迁移率，适合作为半导体器件的主要材料;高浓度的掺硼金刚石则具有电阻率低的特点，适合作为欧姆接触的电极。
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新型P型半导体材料
稳定性强
击穿场强高
空穴迁移率大
硼掺杂金刚石是一种新型的p型半导体材料，具有稳定性强、击穿场强高、空穴迁移率大的优势。其特别适于作为功率半导体器件的材料，亦可应用于电化学领域，具有广阔的应用前景。低浓度的掺硼金刚石具有良好的迁移率，适合作为半导体器件的主要材料;高浓度的掺硼金刚石则具有电阻率低的特点，适合作为欧姆接触的电极。
产品参数：
▎轻掺杂-单晶金刚石
尺寸：5X5mm²,6x6mm²,10X10mm²，可定制
衬底材料：单晶金刚石(100，晶向取向士3°)
衬底厚度：150-400μm
外延厚度：0.5-50μm
表面粗糙度：Ra<2或<5(白光干涉仪，125X125um)
[B]含量：2×10¹⁵ - 5×10¹⁷ cm⁻³
迁移率：1400 -250 cm⁻²/Vs
其他：常规产品带衬底，其余外延厚度需定制
▎重掺杂-单晶金刚石
尺寸：5X5mm²,6x6mm²,10X10mm²，可定制
衬底材料：单晶金刚石(100，晶向取向士3°)
衬底厚度：150-400μm
外延厚度：0.5-50μm
低阻衬底厚度：150-200μm
表面粗糙度：Ra<2或<5(白光干涉仪，125X125um)
[B]含量：5×10¹⁸ - 5×10²⁰ cm⁻³
电阻率：2-0.1Ω.cm
应用领域
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