5G基站
优化散热可削减电子元件体热阻与界面热阻。晶体管结温受芯片散热能力制约，需在芯片热源处布置高导热材料，抑制温升。
对比传统 GaN-on-SiC 功率器件，GaN 金刚石复合结构能显著降低结温，功率承载能力提升三倍以上，减少整机散热负荷，提升器件运行可靠性。相关产品
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