1、工艺开发与整合：主导或参与基于金刚石衬底的半导体器件工艺开发与整合，包括但不限于镀膜、光刻、刻蚀、金属化、封装等关键工艺模块。

2、器件表征与建模：利用多种分析手段（如 SEM, AFM, Raman, XRD， 霍尔效应测试， I-V/C-V 测试、探针台等）对工艺后的薄膜、图形化结构及初代器件

的电学、光学和热学性能进行深入表征，建立“工艺参数-器件性能”的关联模型。

3、应用导向研发：面向高功率电子器件、高频微波器件、高效散热模组或量子传感器等具体应用，进行金刚石基半导体器件的设计辅助、工艺实现与性能评估。

4、跨学科协作：与材料生长团队、器件设计团队、应用客户紧密协作，将材料特性转化为工艺要求，解决从工艺到器件集成中的关键技术问题。

5、技术前瞻：跟踪国内外金刚石半导体器件工艺领域的最新科研与产业动态，撰写技术报告，参与制定公司技术发展规划。

6、知识产权贡献：撰写高质量技术报告，申请发明专利，形成公司的核心技术壁垒。

1、学历与专业：已获得或即将获得物理学、凝聚态物理、材料物理、微电子学与固体电子学、半导体物理与器件等相关专业的博士学位。具有半导体器件工艺

研发经验者优先。

2、经验要求：具有半导体器件工艺研发或集成经验，熟悉半导体前道或后道工艺流程。有宽禁带半导体（如氮化镓、碳化硅）或超宽禁带半导体（如金刚石）

器件工艺经验者尤佳。熟悉光刻、刻蚀、镀膜、测试等环节。

3、技能要求：具备出色的实验设计、数据分析与解决问题能力。熟悉半导体工艺设备操作及相关仿真软件（如 TCAD）者优先。能熟练阅读英文文献，撰写技

术文档。

4、素质要求：对技术创新有浓厚兴趣，具备优秀的团队协作精神、严谨的科学态度和强大的抗压能力。

年薪范围：36-50 万，优秀者面议。

三、企业福利：
1、提供具有行业内竞争力的薪资水平；
2、依法享有各种带薪假（法定节假日、年假、婚假、产假、丧假等）；
3、依法缴交五险一金；
4、各项津贴及年终奖；
5、提供多元化的培训，为员工的职业生涯提供更广阔的舞台；
6、不定期组织团体建设；
7、定期职业健康体检；
8、工会福利（生日/节日礼品、结婚/生育/故去慰问金等）。
四、工作地点：苏州