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高功率半导体激光器
高功率激光器易受热效应损耗性能，封装热沉需同时满足低热阻与低热失配两项核心要求。金刚石热导率远超氮化铝、铜，用作过渡热沉能大幅降低器件热阻，能有效提升激光器输出光功率。
光通讯
作为热管理基材，金刚石散热片可直接键合 800G/1.6T 光模块激光器与硅光芯片，散热效率提升 3 倍；适配 CPO、LPO 共封装架构，嵌入光引擎接口层抑制光电热串扰，稳定传输信号。
GPU/CPU
当下 GPU 功耗持续暴涨，传统散热材料性能遇顶。金刚石热沉片可有效降低芯片结温、削减热阻，搭配液冷系统应用于 AI 服务器，散热能力大幅提升，显著节约机房用电开支。
大功率LED
传统 LED 单点散热易积热缩短寿命，金刚石薄膜可实现由“单点散热”向“面式均热散热”的升级，快速导热控温，散热性能大幅提升，还可优化产品结构、降低生产成本，适配规模化量产。
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化合积电 × 北京大学联合攻关：GaN-on-Diamond 直接异质外延实现电子迁移率重大突破
近日，化合积电与北京大学物理学院杨学林教授、沈波教授团队合作，在金刚石(111)衬底上GaN直接异质外延领域取得重要突破。相关成果以"High-mobility AlGaN/GaN heterostructures directly grown on diamond (111) substrates using a high-temperature phys
演讲预告｜超高导热金刚石，AI 算力散热革新方案
当前，人工智能浪潮席卷全球，算力边界持续拓展，散热问题已成为制约人工智能发展的核心瓶颈。在此背景下，由化合积电创始人、首席执行官张星先生带来的"超高导热金刚石——人工智能时代的终极散热革命"主题报告，将于SEMICON CHINA亚洲化合物半导体大会分会1正式呈现。随着人工智能算力需求的爆发式增长，传统散热方案已逼近物理极限，而金刚石凭借超高热导率、低热膨胀
化合积电联合厦门大学团队，实现硼掺杂单晶金刚石制备重要突破
研究背景：金刚石作为超宽禁带半导体材料，禁带宽度达5.45 eV，兼具高击穿场强、优异热导率及高空穴迁移率等特性，被誉为"终极半导体"，在高压、高温、强辐射等极端工况下具有不可替代的应用前景。当前，单晶金刚石的主流制备方法为微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）技术，其中硼掺杂是实现p型导电的核心途径。然而，高结晶质量与高迁移率硼掺杂单晶金刚石的制备仍面临双
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