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化合积电联合厦门大学团队,实现硼掺杂单晶金刚石制备重要突破
研究背景:金刚石作为超宽禁带半导体材料,禁带宽度达5.45 eV,兼具高击穿场强、优异热导率及高空穴迁移率等特性,被誉为
2026-03-18观展预告|3 月18-20 日,化合积电与您相约 2026 慕尼黑上海光博会
2026年3月18日至20日,慕尼黑上海光博会将于上海新国际博览中心举办。作为亚洲领先的激光、光学及光电技术展会,该行业
2026-03-11化合积电 × 北京大学联合攻关:GaN-on-Diamond 直接异质外延实现电子迁移率重大突破
近日,化合积电与北京大学物理学院杨学林教授、沈波教授团队合作,在金刚石(111)衬底上GaN直接异质外延领域取得重要突破
2026-03-022025|聚势启新程 跨越创辉煌
2025年,化合积电迎来金刚石规模化应用元年,亦迈入深耕金刚石半导体领域的第五个年头。公司始终秉持初心,积极应对行业变革
2025-12-31攻克金刚石异质键合核心难题,化合积电晶圆加工工艺取得关键突破
金刚石作为已知材料中热导率最高的物质,是GaN、Si等半导体晶圆键合散热衬底的核心优选材料,能够有效降低界面热阻,突破传
2025-12-19金刚石热导率精准测量技术突破:新一代热性能检测装置发布
当前,人工智能时代高速发展,散热技术面临严峻挑战,对新型材料热导率的精确表征至关重要。通过科学可靠的测试方法准确测定各类
2025-11-28青城新起点,众智筑辉煌——化合积电规模化金刚石智能制造基地正式投产
2025年10月28日,中国金刚石半导体材料领军企业化合积电于内蒙古呼和浩特市举办金刚石规模化智能制造基地投产典礼。该基
2025-10-28新品 | 化合积电攻克 p 型、n 型可掺杂单晶金刚石制备技术,助推金刚石半导体产业化落地进程
金刚石属于典型超宽禁带半导体材料,通过元素掺杂可精准调控其载流子与电学输运特性,是金刚石基电子器件实现工程化应用的核心前
2025-09-23展会预告 | 化合积电诚邀莅临第 26 届 CIOE 中国国际光电博览会
2025 年 9 月 10 日至 12 日,全球极具影响力的光电行业专业展会 —— 第 26 届中国国际光电博览会(CI
2025-09-03
