化合积电加速推进高品质蓝宝石基氮化铝批量交付，全面落地规模化量产布局

新冠疫情发生以来，深紫外 UVC 消杀相关产业市场需求迎来高速增长，铝镓氮（AlGaN）基 UVC LED 器件在医疗诊疗器械、家用白色电器、工业循环水处理、市政污水治理、食品加工封装、生物化学检测等多元场景展现广阔产业化前景。现阶段，于低成本衬底基底外延生长高性能氮化铝（AlN）薄膜，是推动高效 AlGaN 基 UVC LED 大规模商业化落地亟待攻克的核心技术瓶颈。鉴于单晶氮化铝制备工艺难度极高，市场供给量稀缺且采购成本居高不下，业内绝大多数 UVC LED 厂商均采用 MOCVD 工艺，依托蓝宝石衬底制备氮化铝外延薄膜。

化合积电锚定产业关键核心技术攻关，持续抢占新材料创新研发高地，历经半载以上专项工艺研发，在蓝宝石基氮化铝薄膜衬底制备领域取得关键性技术突破。企业建立全流程品质管控体系，产品综合性能显著提升，器件工作稳定性得到充分保障，同时实现生产成本与生产周期同步优化缩减。

公司自研量产的蓝宝石基氮化铝（AlN On Sapphire）薄膜，高分辨 X 射线衍射半高宽 HRXRD＜0.05°，表面均方根粗糙度 Rq＜1.2nm，整体工艺指标达到国际一流水准。现阶段企业已联合多家 UVC LED 产业链企业，协同开展终端场景适配测试与多元化合作模式探索。

下游客户实测验证结果显示，化合积电高性能蓝宝石基氮化铝薄膜可显著提升 UVC LED 芯片生产良率与长期工作稳定性，有效优化器件光电综合性能。当前该款产品已实现小批量稳定供货；为匹配行业快速扩张的市场需求，企业同步推进中试产线建设工作，产线建成后规划年产能可达 2 万片，将充分补齐高端 UVC LED 产业链高品质氮化铝衬底的供给缺口。

AlN On Sapphire表征检测

AlN On Sapphire产品参数