攻克金刚石异质键合核心难题，化合积电晶圆加工工艺取得关键突破

金刚石作为已知材料中热导率最高的物质，是GaN、Si等半导体晶圆键合散热衬底的核心优选材料，能够有效降低界面热阻，突破传统散热技术的性能局限。晶圆表面粗糙度是决定键合良率的核心关键参数，行业核心技术标准为Ra＜1nm。依托自主技术攻坚，化合积电可提供专业化、定制化金刚石散热解决方案：单晶金刚石表面粗糙度可稳定控制在Ra≤0.5nm，1-2英寸多晶金刚石可实现Ra＜1nm，为高精度晶圆键合工艺提供高可靠性的材料与技术支撑。

化合积电采用激光修整-机械加工-化学机械抛光（CMP）三位一体工艺路线，实现单晶金刚石的高效、低损伤、高精度加工。目前，公司已稳定批量产出表面粗糙度Ra＜1 nm的单晶金刚石产品，并可在定制化条件下实现Ra≤0.5 nm；同时，总厚度偏差（TTV）被精准控制在10 μm以内，晶圆翘曲度指标亦得到严格管控，以满足先进晶圆键合的严苛界面要求。

单晶金刚石（10*10*0.5mm）

CMP加工-白光干涉仪检测     表面粗糙度：Ra 0.197 nm

单晶金刚石（16*16*1mm）

CMP加工-白光干涉仪检测   表面粗糙度：Ra 0.271nm

单晶金刚石（16*16*1mm）    翘曲-背面：1.59μm

单晶金刚石（16*16*1mm）   翘曲-正面：2.06μm

单晶金刚石（10*10*0.5mm）TTV：5μm

单晶金刚石（16*16*1mm）TTV：6μm

针对多晶金刚石，化合积电采用独创抛光工艺，1–2英寸产品可稳定实现表面粗糙度Ra＜1 nm，最低可达0.5 nm以下；3–4英寸产品可稳定实现Ra＜2 nm。此外，2英寸多晶金刚石的翘曲度最优可控制在10 μm以内，能够满足大尺寸晶圆键合对金刚石材料的性能需求，为半导体应用领域提供坚实可靠的材料支撑。

多晶金刚石（2inch）AFM检测 表面粗糙度：Ra 0.440 nm

多晶金刚石（2inch）白光干涉仪检测 表面粗糙度：Ra0.239nm

多晶金刚石（2inch）翘曲Wrap：3.06μm

以材料技术创新为核心驱动力，化合积电聚焦第四代半导体金刚石材料的研发工作，持续攻克高质量、大尺寸金刚石的制备与加工技术难题。未来，化合积电将始终以客户需求为导向，通过工艺优化与产品创新，为半导体产业的技术突破提供更具针对性的材料解决方案，加速推动关键领域的技术进步。