新品发布：硼掺杂单晶金刚石——前沿金刚石器件研发与应用的关键材料

金刚石作为超宽禁带半导体材料，被公认为下一代功率半导体及射频电子器件的核心候选材料。然而，本征金刚石为绝缘体，掺杂是实现其电学性能调控的关键途径。硼掺杂单晶金刚石兼具p型半导体导电特性与金刚石本征优异的物理及化学稳定性，是制备高温、大功率半导体元器件的优选材料。为加速金刚石器件的研发与应用进程，化合积电推出系列化硼掺杂单晶金刚石产品，以满足科研及产业界在金刚石器件前沿研究方面的需求。

硼掺杂金刚石作为一种新型p型半导体材料，具有稳定性优异、击穿场强高及空穴迁移率大等特性。化合积电所制备的硼掺杂单晶金刚石可实现从低浓度到高浓度的宽范围掺杂调控：低浓度掺杂产品具有优良的空穴迁移率，适用于半导体器件有源区材料；高浓度掺杂产品则具有低电阻率特性，适用于欧姆接触电极材料。

化合积电硼掺杂单晶金刚石产品规格参数

检测结果

化合积电硼掺杂单晶金刚石拉曼特征峰FWHM：2.53cm-1

化合积电硼掺杂单晶金刚石摇摆曲线半高宽    XRD：47.3arcsec

化合积电硼掺杂单晶金刚石表面粗糙度：Ra 0.746 nm

化合积电硼掺杂单晶金刚石迁移率达到1400 c㎡/(Vs)，载流子实现从14到19次方

化合积电的掺硼单晶金刚石二次离子质谱（SIMS）检测结果显示，受主浓度在深度分布上均匀，激活率高（可达2.15%）