新品 | 化合积电攻克 p 型、n 型可掺杂单晶金刚石制备技术，助推金刚石半导体产业化落地进程

金刚石属于典型超宽禁带半导体材料，通过元素掺杂可精准调控其载流子与电学输运特性，是金刚石基电子器件实现工程化应用的核心前提。近年来，化合积电已完成硼掺杂单晶金刚石稳定批量供货，本次全新推出氮掺杂单晶金刚石系列产品，精准匹配海内外科研机构开展金刚石功能器件前沿研究对高品质单晶衬底材料的刚需。

氮掺杂单晶金刚石，n型掺杂新品上线

氮掺杂单晶金刚石兼具超高热传导系数、高纯度 NV 色心、低晶格缺陷外延层等多项优异理化性能，可广泛应用于大功率电力电子器件、量子信息传感、生物显微成像、高端光子元器件等前沿领域。企业持续开展氮掺杂单晶金刚石工艺攻关，现已建立掺杂浓度精准可调、性能指标按需定制的成套制备工艺体系，可满足客户对材料电学、量子、光学多维度严苛性能指标要求。

检测结果

在不同深度状态下均具有均匀的氮掺杂浓度，提供定制化的氮掺杂方案

金刚石拉曼峰精准位于1332cm-1标准特征峰处，无明显偏移

具有较强浓度的NV中心特征峰

掺氮金刚石表面粗糙度：Ra 0.711 nm

硼掺杂单晶金刚石，p 型半导体的卓越代表

针对 p 型硼掺杂单晶金刚石，化合积电已实现掺杂浓度区间全覆盖调控，浓度可调范围覆盖 10¹⁵ cm⁻³ 至 10²⁰ cm⁻³ 全梯度区间，相关产品经多轮第三方性能验证，已实现常态化批量交付。企业将持续迭代硼掺杂单晶金刚石制备工艺，进一步优化 p 型金刚石导电性能，为各类金刚石半导体器件的研发与工程应用拓宽技术边界。

化合积电通过持续的产品创新，大幅加速了金刚石器件的研发与应用进程，为突破传统半导体瓶颈提供了核心支撑。面向产业中长期发展，化合积电将持续深耕金刚石全链条核心技术研发，依托前沿工艺体系与标准化高品质材料供给，持续支撑金刚石半导体基础研究与工业化转化，为国内超宽禁带半导体产业创新发展提供稳定核心动能。