应用研究突破:化合积电联合多所高校攻克金刚石多层材料界面热传导难题
近日,化合积电与北京科技大学、中国科学院电工研究所及西安交通大学合作完成的学术论文"Enhancing interfacial heat conduction in diamond-reinforced copper composites with boron carbide interlayers for thermal management",发表于材料领域国际知名期刊《Composites Part B: Engineering》(Elsevier Ltd出版)。该期刊在复合材料领域具有较高的学术影响力与认可度。

作者:北京科技大学崔帅,北京科技大学孙方远教授、中国科学院电工研究所王大正博士和化合积电联合创始人/CEO张星等
该研究以化合积电制备的<001>晶向、尺寸为10 mm × 10 mm × 1 mm的高热导率单晶金刚石基板为基底,通过引入碳化硼修饰层实现金刚石颗粒与铜基体的有效连接,改善了界面结合质量,显著增强了界面热传导性能,提升了金刚石与铜衬底的界面热导。该研究填补了界面优化对多层材料热性能影响研究的空白,为纳米尺度界面热交换机制提供了更深入的理论基础,并为铜/碳化硼/金刚石多层材料的实际制备与应用提供了参考依据。
化合积电采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术生长单晶金刚石,为该研究提供了关键材料基础。长期以来,公司始终秉持开放合作理念,与国内外众多知名高校及顶尖实验室建立紧密合作关系,通过资源共享与优势互补,共同攻克多项技术难题,加速了金刚石半导体材料从实验室研究向产业化应用的转化进程。

海外部分合作高校及实验室

国内部分合作高校
定制化单晶金刚石:满足多领域科研需求
单晶金刚石(热学级、光学级、电子级)是化合积电的核心产品之一,具有所有已知材料中最高的热导率(高达2200 W/(m·K)),以及高硬度、高化学稳定性、高光学透过率、超宽禁带宽度、负电子亲和势、高绝缘性及良好生物相容性等优异特性,在超精密加工、半导体、航空航天、核能源等高新技术领域具有广阔的应用前景,已成为多领域科研前沿的重点研究材料。
化合积电采用MPCVD技术制备高品质单晶金刚石,并提供尺寸、表面粗糙度、晶向、掺杂等定制化服务,为不同领域的科研探索提供关键技术支撑。

高品质单晶金刚石核心性能指标
一、晶体质量
化合积电电子级单晶金刚石产品的拉曼光谱特征峰半高宽(FWHM)低至2.1 cm⁻¹,X射线衍射(XRD)摇摆曲线半高宽低至31.6 arcsec。

二、位错密度与氮含量
经X射线衍射形貌术(XRT)检测,电子级单晶金刚石产品的位错密度<10³/cm,达到电子级单晶金刚石的位错密度标准。
经电子顺磁共振(EPR)检测,电子级单晶金刚石产品的氮含量<50 ppb。

三、表面粗糙度
经原子力显微镜(AFM)及白光干涉仪检测,表面粗糙度Ra<1 nm。
四、厚度
化合积电单晶金刚石最薄厚度可达0.05 mm。
除高品质单晶金刚石外,化合积电核心产品还包括多晶金刚石(晶圆级金刚石、金刚石热沉片、金刚石窗口片、金刚石基异质集成复合衬底)及氮化铝薄膜(金刚石基氮化铝、硅基氮化铝、蓝宝石基氮化铝)等,并可根据客户需求提供定制化服务。
自创立以来,公司与多所海内外高校及顶尖实验室建立战略合作关系,坚持以市场为导向,推进"产、学、研、用"四位一体协同发展,积极整合优势资源,为金刚石材料前沿研究贡献力量。
