产品发布：硼掺杂单晶金刚石——p型半导体材料解决方案

硼掺杂单晶金刚石（B-doped single crystal diamond）作为一种新型p型半导体材料，亦可应用于电化学领域，具有稳定性优异、击穿场强高及空穴迁移率大等特性。为响应市场需求，化合积电推出系列化硼掺杂单晶金刚石产品，可满足客户制备高温、大功率半导体元器件等应用需求。

化合积电所制备的硼掺杂单晶金刚石可实现从低浓度到高浓度的宽范围掺杂调控：低浓度掺杂产品具有良好的空穴迁移率，适用于半导体器件有源区材料；高浓度掺杂产品则具有低电阻率特性，适用于欧姆接触电极材料。

*以上均为标准参数，特殊参数可定制

化合积电深耕宽禁带半导体材料领域，采用微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）技术制备大尺寸、高品质金刚石。除硼掺杂单晶金刚石外，公司现有成熟产品包括金刚石热沉片、金刚石晶圆、金刚石窗口片及金刚石异质集成复合衬底等。其中，金刚石热沉片热导率为1000–2200 W/(m·K)，晶圆级金刚石表面粗糙度Ra＜1 nm，已应用于航空航天、高功率半导体激光器、光通信、芯片散热及核聚变等领域。