展会预告｜5 月 16—18 日，金刚石热管理全套方案亮相武汉光博会，诚邀莅临洽谈

第十九届中国光谷国际光电子博览会暨论坛（简称武汉光博会）举办时间定为 5 月 16 日至 18 日，举办场地设于中国光谷科技会展中心。本届展会是国内具备较大行业体量与行业影响力的光电专业盛会，展品范围囊括光通信、激光加工、精密光学、半导体芯片、光电传感、先进新材料等多类领域。化合积电（厦门）半导体科技有限公司将携金刚石热沉衬底、晶圆级金刚石基片、金刚石光学窗口等全系金刚石制品，配套激光器专用热管理一体化解决方案参展，展位编号 B3 馆 - B329，诚挚欢迎业界同仁莅临展位开展线下技术交流与商务对接。

过渡热沉

相关科研试验数据证实，以 MPCVD 工艺制备金刚石薄膜作为过渡散热衬底，对比传统铜质热沉，半导体激光器输出光功率可提升 25%，器件整体热阻降幅超 45%，散热综合性能优势突出。

金刚石是现阶段已知常温环境下导热性能最优的固态物质，化合积电量产金刚石热沉片导热系数可达 1000–2200W/(m・K)，导热性能为金属铜的 3 至 5 倍。企业可根据合作方定制需求，提供金刚石精密切割、微孔加工、金属镀层沉积、表面图形化处理等配套加工服务，输出标准化、高可靠性金刚石热管理整套技术方案。

光学窗口

金刚石综合理化性能优异，是适配各类光学场景的理想基材，兼具全球顶级导热性能与极宽光谱透射区间，光谱覆盖紫外波段、可见光、红外、太赫兹及微波频段。

化合积电 TC.2000 型号多晶金刚石实测导热系数不低于 2000W/(m・K)，全波段透光性能优异，适配各类高功率光电设备使用场景。企业同步推出光学级多晶、单晶两类金刚石产品，充分匹配拉曼激光器、碟片激光器等不同设备的配套使用需求，最大化释放金刚石优异光学性能。

异质集成

金刚石与氮化镓复合异质集成结构可有效抑制氮化镓大功率器件自发热现象，攻克高频大功率工况下氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）的散热瓶颈。化合积电为国内较早布局金刚石 - 氮化镓异质集成技术研发的企业，现已完成三类成熟工艺路线落地，分别为 GaN on diamond、Diamond on GaN 结构，以及键合工艺专用晶圆级金刚石基材。依托自主研发与工艺创新，企业实现该领域关键配套材料核心技术国产化自主可控。

针对激光领域砷化镓芯片、硅基芯片等器件，企业可供应高品质晶圆级金刚石衬底用于芯片键合封装，改善激光芯片散热效率不足的痛点，达成高效导热降温效果。

金刚石同步兼具顶尖热学、光学、力学、电学、声学综合性能，作为超硬功能材料，各类金刚石加工制品被称作高精度加工领域核心耗材。同时金刚石具备优良半导体特性，包含超宽禁带、超高导热系数、高击穿场强、高载流子迁移率、强抗辐射能力等优势。激光器搭载金刚石功能材料，可完成高输出功率、运行高稳定度、加工高精度等核心性能升级，同时推动激光元器件轻量化、微型化迭代。期待金刚石材料与激光产业深度融合创新，共同拓展多元化全新应用赛道。